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CGH40006S
6 W, RF Power GaN HEMT, Plastic
Cree’s CGH40006S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40006S, operating from a 28 volt rail,
offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave
applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and wide bandwidth
capabilities making the CGH40006S ideal for linear and compressed amplifer
circuits. The transistor is available in a 3mm x 3mm, surface
mount, quad-fat-no-lead (QFN) package.
R
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A
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FEATURES
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Up to 6 GHz Operation
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13 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
11 dB Small Signal Gain at 6.0 GHz
?
8 W typical at PIN
= 32 dBm
?
65 % Effciency at PIN
= 32 dBm
?
28 V Operation
?
3mm x 3mm Package
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440203
PN’s: CGH40006S
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